科目名: 卒業研究 (01)　

  担当教員: 大越　正敏 (大学院情報工学研究院電子情報工学研究系)　okoshi@cse.kyutech.ac.jp

            対象分野科目 必修科目 8単位

            4年 前期 集中講義等

授業の概要

この授業の概要を記載する。

カリキュラムにおけるこの授業の位置付け

カリキュラムにおけるこの科目の位置、この科目の前提科目、この科目を前提とする後継科目などを記載する。

授業項目 (授業計画)

(1)　 授業進行の流れ（授業計画）に沿って14項目の授業項目を記載する。

(2)　 期末試験を実施する場合は15項目に「期末試験」を記載する。

授業の進め方

授業の形態、試験や演習の実施などに関する事項を記載する。

授業の達成目標 (学習・教育目標との関連)

この科目は対象学科が掲げる「学習・教育目標」の目標（A）～（Z）の内のどの目標をカバーしているか。

この科目は具体的にはどの様な教育目標を達成しようとしているか。

成績評価の基準および評価方法

前項の「達成目標」の達成度をどの様な方法で（試験やレポート等）また各々をどの様な比重で評価するかを記載する。

キーワード

キーワードは必ず記載して下さい。

教科書

参考書

備考

  科目名: 集積回路演習 (01)　Laboratory Course of Integrated Circuits

  担当教員: 大西　克典 (マイクロ化総合技術センター)　onishi@cms.kyutech.ac.jp

            対象分野科目 選択科目 1単位

            4年 前期 集中講義等

授業の概要

本演習では、マイクロ化センターの設備を利用して、学生諸君が自らの手で集積回路を作製する。他大学では経験できない独特のコースである。

カリキュラムにおけるこの授業の位置付け

演習の履修には、3年後期の「半導体工学」を履修していることが必要であり、3年後期の「集積回路設計」および「LSI回路」を受講していることが望ましい。

授業項目 (授業計画)

(1)　集積回路加工プロセス

(2)　安全教育

(3)　フォトリソグラフィー技術

(4)　ドーピング技術

(5)　エッチング技術

(6)　成膜技術

(7)　半導体製造における環境維持への配慮

授業の進め方

この演習は、大学の夏期休暇中に集中講義形式で講義と試作実習を並行して行う。なお本演習は、馬場、大西（マイクロ化総合技術センター）、新海（マイクロ化総合技術センター）の3名で担当する。

授業の達成目標 (学習・教育目標との関連)

この演習は，電子情報工学科の学習・教育目標(c)に掲げられている「電子工学の知識や技術の基礎的な素養を深め，応用に関する専門性を獲得する」ことに対応し，電子工学の主要な応用である集積回路の作製方法について理解させることを目標とする．具体的には，以下の項目を目標とする．

(1)　集積回路の構造とその形成方法を理解させる。

(2)　集積回路製造のプロセスフロー全体を理解させる。

(3)　半導体素子の電気的特性を決定する要因を理解させる。

(4)　集積回路製造実習を通してモノ作りの実際を理解させる。

成績評価の基準および評価方法

上記に掲げる具体的な達成目標のうち、(1)-(3)については、実習後に与える課題に対するレポートにより評価する(80％)。達成目標(4)については，実習に取り組む積極性および実習中に出題する小クイズにより理解度を評価する（20％）。

キーワード

集積回路、集積回路作製プロセス、微細加工、フォトリソグラフィー、半導体、実習

教科書

参考書

• タウア・ニン著：「最新VLSIの基礎」（丸善）
• グローブ著：「半導体デバイスの基礎」（オーム社）
• S. M. ジィー：「半導体デバイス」（産業図書）

備考