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2020年度 電子情報工学科の就職担当窓口は、尾知 博 教授です。
お問い合わせ先はこちらまでお願い致します。

2019年度 電子情報工学科の就職担当窓口は、小田部 荘司 教授です。
お問い合わせ先はこちらまでお願い致します。

本学では科学技術振興機構公募事業『さくらサイエンスプラン』に採択され、平成29年12月5日(火)から12月14日(木)の10日間、南洋理工大学(シンガポール)とインド大学間共同利用加速器センター(インド)から、学生2名、リサーチャー2名の計4名を受入れました。招聘中は、本学飯塚キャンパスの福間研究室や山口大学での実習や研究発表、また日本文化を感じてもらうため、旧伊藤伝右衛門邸を訪問しました。

詳細は、下記のページをご確認下さい。
紹介ページ

研究紹介

情報通信社会の進展と共に、インターネットを行き交う情報量は爆発的に増加しています。
一方で、地球環境や電力供給の制約から、情報記録・処理・通信デバイスにおける消費電力の大幅な低減が必要とされています。
福間研究室では、「スピントロニクス」という新しい技術を利用することで革新的な省電力性能をもつ電子デバイスの創出を目指しています。

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本学科 エレクトロニクス講座 所属の福間康裕准教授は、理化学研究所創発物性科学研究センター量子ナノ磁性チームの近藤浩太研究員、大谷義近チームリーダー(東京大学物性研究所教授)、東北大学金属材料研究所の塚崎敦教授、強相関界面研究グループの川崎雅司グループディレクター(東京大学大学院工学研究科教授)、強相関物性研究グループの十倉好紀グループディレクター(東京大学大学院工学研究科教授)との共同研究より、トポロジカル絶縁体「(Bi1-xSbx)2Te3」の表面を用いた新しい電流-スピン流変換現象の実験的観測および定量的評価に成功しました。これにより、省電力スピントロニクスデバイスの開発が期待できます。

詳細は、下記のページをご確認下さい。
紹介ページ①
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研究紹介

持続可能な光エレクトロニクスを目指したあたらしい半導体と関連物質の研究

光通信(インターネットなど)を支える光エレクトロニクスデバイスには,インジウムなどに代表される希少元素,ヒ素などの環境負荷が大きく生体為害性のある元素が多用されています.これは,光通信の根幹には資源枯渇の危機,環境問題が常に存在し,その持続可能性が乏しいことを意味します.本研究室では,こうした問題解決を目指し,持続可能な光エレクトロニクスを目指したあたらしい半導体材料創製の研究を1997年に開始し,現在に至っています.光通信用素子に用いられるインジウム・ガリウム・ヒ素など化合物半導体を鉄シリサイド(斜方晶β-FeSi2)に代替することが目標になります.鉄シリサイドは資源が豊富で,環境への負荷の少ない元素群(Elements of hope)からなるためにシリサイド環境半導体とも呼ばれています.
物性面でも鉄シリサイドは興味深い新しい半導体といえます.鉄原子のd電子が物性を支配し,金属相格子(蛍石構造γ-FeSi2)がひずむことによってバンドギャップが発生し半導体化したヤン・テラー(Jahn-Tellar)効果型半導体と考えられています.それゆえに,従来のsp3系の半導体とは違った物性やその応用が期待されています.特に結晶サイズが数ナノm程度のナノ結晶に閉じ込められた励起子や不純物添加による束縛励起子による顕著な発光増強など半導体物理学上も興味深い現象がわれわれの研究で見出されています.
さらに鉄シリサイドは,シリコン太陽電池では透過して利用できなかった1.2μm以上の長波長の赤外太陽光をエネルギーに変換でき,太陽電池の高効率化が期待できます.
鉄-シリコン系材料は,資源的にも環境的にも持続可能で,また成熟したシリコンプロセスを利用できるなど大きな利点があります.β-FeSi2のほかにも有用な化合物があります.B20-FeSiはd電子近藤絶縁体(d電子相関によって金属-絶縁体相転移を示す),DO3-Fe3Siはホイスラー合金強磁性体としてそれぞれスピントロニクス(電子のスピン状態とその変化を利用したエレクトロニクス)への応用を目指した研究も行っています.現在進行している具体的な研究テーマは以下の通りです.

研究テーマ

  • シリサイド半導体ナノ結晶の形成と赤外発光増強に関する研究(下図参照)
  • 赤外増感シリサイド半導体タンデム型太陽電池の研究
  • イオン散乱法によるホイスラー合金/半導体へテロエピタキシャル界面の評価

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研究室紹介

本研究室は,1995年から大阪府立大学,2003年から京都大学,そして2012年11月に本学に異動しました.太陽電池の研究では,湿式太陽電池を研究している古川研究室,安田研究室とそれぞれの特長をいかした研究を連携して進めています.シリサイド系半導体の研究分野では,応用物理学会を中心に研究の成果,研究者の育成,学会・研究会の運営,論文の企画編集出版など国内外で指導的な役割を果してきました.本研究室の最大の特徴は,学外との共同研究が頻繁なことです.日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センターとは分子スピントロニクス用の新材料の創製,イオン散乱による磁性体/半導体スピン注入界面の評価などの共同研究を行っています.他にも研究の進捗に応じて共同研究を展開します.また,3年毎にシリサイド系半導体国際会議(APAC-SILICIDE)を国内外の関連研究室と協力して開催しています.これは,研究室の学生・院生が発表だけでなく運営にも関わり,国際的な視野の育成に役立っています.

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実は、私が大学入学時に望んでいた進路と、現在の会社はまったく別のものとなっています。もともと半導体などのハードウェアを作りたいなと思いこの学科を志望したのですが、授業などで情報通信を勉強することで、この方面へ進みたいと思うようになりました。

このように、在学期間は4年(院進学の場合は6年)と長いので、その間に自分の将来像が変わってしまうことは、ある意味避けられないことかもしれません。しかし、本学科には、ハード・ソフト・ネットワーク3つの柱があり、多くの選択肢が用意されているので、柔軟に将来像を描くことが可能です。

1度きりの人生なので、自分のやりたい事を出し惜しみすることなく、失敗を恐れずに何事にも挑戦していってください!
Go Ambitious !!

私が高校時代に九州工業大学を選ぶ決め手となった事の1つとして,高い就職実績が挙げられます。

裏を返せば,大学において企業に求められる様な非常にレベルの高い教育が行われているということであり,事実,大学に入ってからは先輩方も挙げていらっしゃるようにハードウェア,ソフトウェア両面において多くの技術を学ぶ事ができたと感じています。

私自身としては学業はもちろんの事,私生活の充実社会的な経験等も多く積ませて頂き,結果として当初から熱望していた地元企業からの内定を勝ち取る夢が叶い,先生方に感謝すると共に,この大学,この学科で良かったなと思う次第です。

私は九州工業大学に編入学致しました。この学科を選んだ最大の理由は、ハードウェアソフトウェアの両面に渡る勉強ができるという点です。専門技能は一つに突出するよりも幅広い分野の知識を持つ方が自分の可能性の幅を広げられます。
幅広い知識を持つことは就職先を選ぶ際にも有利で、一つの専門に突出した技術者に比べて、選べる就職先は非常に多くなります。本学科で学んだ知識の中で特に自分に合っている職種を選べば良いのです。実際、多岐に渡る専門分野を学んでいる点は企業からも大いに評価され、就職活動は順調そのものでした。
電子情報工学科で幅広い分野を学びつつ、ゆっくりで良いので自分の得意な分野を見つけて下さい。それが誤りの無い自分の将来を決定付けることになります。